超级大本营军事论坛-移动版
登录 | 成为超大会员 | 使用QQ帐号登录
论坛 > IT与通讯技术
发帖|
1234下一页
看29502|回127|收藏
兔子国的兔子 看全部
2020-08-23 18:36
前言:

光刻机作为制造中决定制程工艺的关键节点,同时也是国内芯片设备最为薄弱的环节。国产芯片的“痛中痛”,中国何时可以摘取这颗明珠?



半导体芯片产业链分为IC设计、IC制造、IC封测三大环节。光刻的主要作用是将掩模版上的芯片电路图转移到硅片上,是IC制造的核心环节,也是整个IC制造中最复杂、最关键的工艺步骤。



通过激光或电子束直接写在光掩模板上,然后用激光辐照光掩模板,晶圆上的光敏物质因感光而发生材料性质的改变,通过显影,便完成了芯片从设计版图到硅片的转移。光刻的工艺水平直接决定芯片的制程和性能水平。



随着半导体产业的向前发展 ,不断追求着尺寸更小、速度更快 、性能更强的芯片。正是半导体行业对于芯片的不断追求推动了光刻机产品的不断升级与创新。



根据所用光源改进和工艺创新,光刻机经历了5代产品发展,每次光源的改进都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。在技术节点的更新上,光刻机经历了两次重大变革,在历次变革中,ASML都能抢占先机,最终奠定龙头地位。



目前业内最先进的是采用波长13.5nm极紫外光的第五代EUV光刻机,可实现7nm工艺制程,技术要求极高,单台价值为1.2亿欧元。



现在芯片追求更快的处理速度,需要缩短晶体管内部导电沟道的长度,而光刻设备的分辨率决定了IC的最小线宽,受益于下游需求旺盛,光刻设备有望量价齐升带动市场空间不断增长。



量:晶圆尺寸变大和制程缩小将使产线所需的设备数量加大,12寸晶圆产线中所需的光刻机数量相较于8寸晶圆产线将进一步上升。同时预计2020年随着半导体产线得到持续扩产,光刻机需求也将进一步加大。价:随着芯片制程的不断升级, IC前道光刻机制造日益复杂,其价格不断攀升。



目前光刻机行业已经成为一个高度垄断的行业,行业壁垒较高,全球前道制造光刻机市场基本被ASML、尼康、佳能垄断,CR3高达99%。 ASML一家独占鳌头,成为唯一的一线供应商,Nikon高开低走,但凭借多年技术积累,勉强保住二线供应商地位;而Canon只能屈居三线;上海微电子装备(SMEE)作为后起之秀,暂时只能提供低端光刻设备。



随着第三次全球半导体产业向中国转移,国内晶圆厂投资加速,光刻机作为新建晶圆厂的核心资本支出,市场空间进一步打开。28nm作为当前关键技术节点,工艺制程从90nm突破至28nm,对于国产替代具有重大战略意义。



实现光刻机的国产替代并不是某一企业能够单独完成的,需要光刻产业链的顶尖企业相互配合。光刻产业链可拆分为两个部分,一是光刻机核心组件,包括光源、镜头、双工作台、浸没系统等关键子系统,二是光刻配套设施,包括光刻胶、光掩模版、涂胶显影设备等。



上海微电子将在2021年交付的28nm光刻机正是源于以下核心企业以举国之力在各自细分领域的技术突破:上海微电子负责光刻机设计和总体集成,北京科益虹源提供光源系统,北京国望光学提供物镜系统,国科精密提供曝光光学系统,华卓精科提供双工作台,浙江启尔机电提供浸没系统。
狗熊二 看全部
2020-08-23 21:37

Re.国产光刻机现状及02专项进展

如果 D u v光源可以再缩短一点就好了190 7纳米的波长经过水的折射以后。可以缩短到134纳米。
当年佳能跟尼康研发出了157纳米的波长的光源足足缩短了40纳米。如果。在经过水的折射,波长会更短。
凤鸣九皋 看全部
2020-08-23 21:49

引用:

狗熊二 发表于 2020-08-23 21:37
如果 D u v光源可以再缩短一点就好了190 7纳米的波长经过水的折射以后。可以缩短到134纳米。
当年佳能跟尼 ...

157nm没法透水,所以玩完了。
zzaa119 看全部
2020-08-23 22:11

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

凤鸣九皋 发表于 2020-08-23 21:49
157nm没法透水,所以玩完了。

如果给157nm筛选一种新的折射液体媒介呢?会不会成本太高?
凤鸣九皋 看全部
2020-08-23 22:35

引用:

zzaa119 发表于 2020-08-23 22:11
如果给157nm筛选一种新的折射液体媒介呢?会不会成本太高?

其实,你想想就知道不靠谱。为啥当时会想到纯净水做呢?因为本身纯净水就是清洗剂,本身就和现有的工艺和材料是兼容的。
js530408 看全部
2020-08-23 22:36

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

zzaa119 发表于 2020-08-23 22:11
如果给157nm筛选一种新的折射液体媒介呢?会不会成本太高?

给你一个在双一流吧获得的信息如下

        哈工大的这个实验室,创造了3个全球领先的技术!某些方面,可以傲视全球!

    1、2009年研制成功大功率的著名的神光-3的靶场控制系统。
    2、2017年全球首席实现4万公里高空卫星激光高通量双向传输通讯。
    3、2018年研制出大功率的150瓦的DPP-EUV极紫外光源(全球2家之一)

    全球只有2家单位能够研制大功率EUV极紫外光源!
    日本人都不行!
    大功率的DPP-EUV极紫外光源。
    它的关键技术,源自于研究大功率激光武QI

    DPP-EUV极紫外光源。
    理论上可以做到0.3纳米!
    哈工大激光重点实验室,目前做到了0.54纳米的精度!

    https://tieba.baidu.com/p/6764956359?pn=3
兔子国的兔子 看全部
2020-08-23 23:04
现在就希望上微能把28nm按12月搞定,华为被彻底断供,这很危险啊,搞自主半导体生产线刻不容缓
泓奕 看全部
2020-08-23 23:39
这篇文章的内容被翻来覆去的搞出了几百篇类似的,没有一点新意
js530408 看全部
2020-08-23 23:42

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

兔子国的兔子 发表于 2020-08-23 23:04
现在就希望上微能把28nm按12月搞定,华为被彻底断供,这很危险啊,搞自主半导体生产线刻不容缓

估计华为大致2年左右搞出来部署
fireeyes 看全部
2020-08-24 01:03

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

凤鸣九皋 发表于 2020-08-23 21:49
157nm没法透水,所以玩完了。

157nm为什么没法透水?
tonyget 看全部
2020-08-24 01:15

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

js530408 发表于 2020-08-23 22:36
给你一个在双一流吧获得的信息如下

        哈工大的这个实验室,创造了3个全球领先的技术!某些方面 ...

全球只有两家能做EUV极紫外光源,一家是美国Cymer,另一家是日本Gigaphoton

zzaa119 看全部
2020-08-24 07:56

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

tonyget 发表于 2020-08-24 01:15
全球只有两家能做EUV极紫外光源,一家是美国Cymer,另一家是日本Gigaphoton

国内也做极紫外光源,哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室 在做。和美国一样,中国的极紫外光源也是军用激光器的副产品,只不过美国早成熟了10年。中美技术路线基本一样。马祖光院士是哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室 的奠基人,在极其困难的条件下组建了实验室。没有这个实验室,中国可能进度更慢。因为国内其他单位的光源进度和成熟度都不如哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室 的。
havok 看全部
2020-08-24 08:47

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

zzaa119 发表于 2020-08-23 22:11
如果给157nm筛选一种新的折射液体媒介呢?会不会成本太高?

其他的折射液体ASML、尼康都研究过,尼康提出过NA1.65的方案,只不过因难度太大,经济性不高等问题都放弃了。
也不是说完全不可行,比如用某种折射率更高的油状液体代替水后,液体内的杂质和气泡去除变得困难,液体与投影物镜最后一片镜片镀膜间的摩擦力加大,
液体经激光透射后内部温度变化不稳定。同时更换折射液体后双工件台和投影物镜均需要重新设计。
havok 看全部
2020-08-24 08:51

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

兔子国的兔子 发表于 2020-08-23 23:04
现在就希望上微能把28nm按12月搞定,华为被彻底断供,这很危险啊,搞自主半导体生产线刻不容缓


与其关注28nm,不如关注上微的新型号65nm干式光刻机更实际些。
wenxixo 看全部
2020-08-24 09:29
国产光刻机现在就不切实际,有时间不如想想怎么解决台湾问题,一劳永逸,彻底砸烂全球半导体供应链。
ztzhaha 看全部
2020-08-24 09:32

引用:

havok 发表于 2020-08-24 08:51
与其关注28nm,不如关注上微的新型号65nm干式光刻机更实际些。

这个应该快了吧,毕竟下游供应商基本上都已经完成任务了,剩下的只有扩产了。倒是这个28nm版很急,它搞定了至少华为还能走中低端芯片路子,其实最急的还是能做7nm以下芯片的光刻系统,不管是EUV还是武汉那个超分辨投影光刻
Guigui123 看全部
2020-08-24 09:35

引用:

havok 发表于 2020-08-24 08:51
与其关注28nm,不如关注上微的新型号65nm干式光刻机更实际些。

这个最低能做到多少纳米的芯片?
凤鸣九皋 看全部
2020-08-24 09:36

引用:

fireeyes 发表于 2020-08-24 01:03
157nm为什么没法透水?

应该是吸收率过高
havok 看全部
2020-08-24 09:44

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

Guigui123 发表于 2020-08-24 09:35
这个最低能做到多少纳米的芯片?

40nm左右,但是台积电的7nm也会用到65nm/90nm干式光刻机加工简单层来节约成本。所以干式光刻机还是很有用的。
havok 看全部
2020-08-24 09:50

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

ztzhaha 发表于 2020-08-24 09:32
这个应该快了吧,毕竟下游供应商基本上都已经完成任务了,剩下的只有扩产了。倒是这个28nm版很急,它搞定 ...

28nm出来也只是台样机,量产还早着呢。倒是干式光刻机明后年就可小批量量产。干式光刻机也可以帮到华为的。
14nm/7nm暂时就别想了,别的机台像离子注入、刻蚀、CMP等都还没搞定7nm呢
ztzhaha 看全部
2020-08-24 09:50

引用:

havok 发表于 2020-08-24 09:44
40nm左右,但是台积电的7nm也会用到65nm/90nm干式光刻机加工简单层来节约成本。所以干式光刻机还是很有用 ...

按你这么说,我感觉可能65和28nm可能同时出来,毕竟高端芯片制造这两种可能都会用,相当于上微把完整芯片产线光刻技术的解决方案拿出来了
havok 看全部
2020-08-24 09:53

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

ztzhaha 发表于 2020-08-24 09:50
按你这么说,我感觉可能65和28nm可能同时出来,毕竟高端芯片制造这两种可能都会用,相当于上微把完整芯片 ...

出来和量产是两码事。以上微现在的实力搞28nm是很吃力的
Guigui123 看全部
2020-08-24 10:01

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

havok 发表于 2020-08-24 09:53
出来和量产是两码事。以上微现在的实力搞28nm是很吃力的

难怪传说华为等不及了,要自己干!
ztzhaha 看全部
2020-08-24 10:22

引用:

havok 发表于 2020-08-24 09:50
28nm出来也只是台样机,量产还早着呢。倒是干式光刻机明后年就可小批量量产。干式光刻机也可以帮到华为的 ...

不要这么悲观,刻蚀中微半导体5nm刻蚀机通过台积电认证,CD上也说了今年末凯世通7nm离子注入机要量产,我记得你上次贴也说过样机经过专家认证之后也是销售的,所以我对2025年70%自给100%技术掌握有信心的
汝儿乃我 看全部
2020-08-24 10:24

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

Guigui123 发表于 2020-08-24 10:01
难怪传说华为等不及了,要自己干!

光刻机这东西华为自己是干不了的,不过华为可以参与研发,这样以后若是做IDM上手也快些。
havok 看全部
2020-08-24 10:32

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

ztzhaha 发表于 2020-08-24 10:22
不要这么悲观,刻蚀中微半导体5nm刻蚀机通过台积电认证,CD上也说了今年末凯世通7nm离子注入机要量产,我 ...

我是说过样机也可以销售 但毕竟只有一台象征意义更大些。虽说是高仿ASML,但后续验证工艺还是需要调整的,这都要时间
lijiasheng1984 看全部
2020-08-24 11:05

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

havok 发表于 2020-08-24 10:32
我是说过样机也可以销售 但毕竟只有一台象征意义更大些。虽说是高仿ASML,但后续验证工艺还是 ...

如果能科创上市就好了,直接融资它500-1000亿,趁目前的形势上市融资阻力应该会小很多,招募全球顶尖技术人员来加速
zzaa119 看全部
2020-08-24 15:38

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

havok 发表于 2020-08-24 08:47
其他的折射液体ASML、尼康都研究过,尼康提出过NA1.65的方案,只不过因难度太大,经济性不高等问题都放弃 ...

为您点赞,有含量,有营养
js530408 看全部
2020-08-24 16:26

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

havok 发表于 2020-08-24 09:53
出来和量产是两码事。以上微现在的实力搞28nm是很吃力的

他主要是调试和系统集成,如果他拖延就会面临华为的挑战,因为华为有巨额资金,有整合企业的执行力,因此上微的压力很大,搞了10年没有成果,很难交代
凤鸣九皋 看全部
2020-08-24 16:30

引用:

js530408 发表于 2020-08-24 16:26
他主要是调试和系统集成,如果他拖延就会面临华为的挑战,因为华为有巨额资金,有整合企业的执行力,因此 ...

你低估了事情的严重性,交不出来,恐怕乌纱不保。
js530408 看全部
2020-08-24 16:34

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

凤鸣九皋 发表于 2020-08-24 16:30
你低估了事情的严重性,交不出来,恐怕乌纱不保。

据悉现在芯片和银行的压力不小,芯片面临一旦设备禁用和芯片停供,信息业发展势头全面停滞,银行面临美国的美元结算体系的禁用问题,时间不等人
lijiasheng1984 看全部
2020-08-24 16:37

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

凤鸣九皋 发表于 2020-08-24 16:30
你低估了事情的严重性,交不出来,恐怕乌纱不保。

哈哈,所以SMEE对华为有点不感冒
lead 看全部
2020-08-24 16:41

引用:

凤鸣九皋 发表于 2020-08-24 16:30
你低估了事情的严重性,交不出来,恐怕乌纱不保。

都到了这份上,上微慢腾腾的搞光刻机高层肯定不会满意的!!!李克强前几天还视察了京东方!!!
Guigui123 看全部
2020-08-24 18:41

引用:

lead 发表于 2020-08-24 16:41
都到了这份上,上微慢腾腾的搞光刻机高层肯定不会满意的!!!李克强前几天还视察了京东方!!!

前十几年从上到下不紧不慢,悠然快活的用着别人的技术,现在面临断供制裁,把整个信息产业的重担压在上微肩上也不公平!
兔子国的兔子 看全部
2020-08-24 20:34

Re.国产光刻机现状及02专项进展

引用:

lijiasheng1984 发表于 2020-08-24 11:05:34
如果能科创上市就好了,直接融资它500-1000亿,趁目前的形势上市融资阻力应该会小很多,招募全球顶尖技术人员来加速
上微的确应该在科创上市募集资金来加大研发力度
兔子国的兔子 看全部
2020-08-24 20:39

Re.国产光刻机现状及02专项进展

引用:

havok 发表于 2020-08-24 08:51:04
与其关注28nm,不如关注上微的新型号65nm干式光刻机更实际些。
65nm对华为意义不大
兔子国的兔子 看全部
2020-08-24 20:41

Re.国产光刻机现状及02专项进展

引用:

wenxixo 发表于 2020-08-24 09:29:32
国产光刻机现在就不切实际,有时间不如想想怎么解决台湾问题,一劳永逸,彻底砸烂全球半导体供应链。
半导体设备丶材料受制于人,你拿下台积电也是无米之炊,脚踏实地完善国产半导体产业链才是正途。
兔子国的兔子 看全部
2020-08-24 20:43

Re.国产光刻机现状及02专项进展

引用:

havok 发表于 2020-08-24 09:50:22
28nm出来也只是台样机,量产还早着呢。倒是干式光刻机明后年就可小批量量产。干式光刻机也可以帮到华为的。14nm/7nm暂时就别想了,别的机台像离子注入、刻蚀、CMP等都还没搞定7nm呢
即使是样机,也能通过应用积累工程经验,边改进边生产,参照太行发动机发展路径。
havok 看全部
2020-08-24 21:02

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

js530408 发表于 2020-08-24 16:26
他主要是调试和系统集成,如果他拖延就会面临华为的挑战,因为华为有巨额资金,有整合企业的执行力,因此 ...

搞光刻机10年没成果很正常。
havok 看全部
2020-08-24 21:05

RE: 国产光刻机现状及02专项进展

引用:

lijiasheng1984 发表于 2020-08-24 11:05
如果能科创上市就好了,直接融资它500-1000亿,趁目前的形势上市融资阻力应该会小很多,招募全球顶尖技术 ...

上微这几年一直在融资,上市需要耐心等待 产品搞出来了基本就可以上市了。
1234下一页

首页 | 标准版 | 触屏版 | 电脑版

© 2002-2021 超级大本营军事论坛
京ICP备13042948号
违法及不良信息举报电话:13410849082